![]() Anschrift: Zimmer 0.016 Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik
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Hyperfeinwechselwirkung in dünnen Schichten des Gate-Dielektrikums HfO2 |
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Untersuchungen der Hyperfeinwechselwirkung in halbleitenden oder isoliernden Oxiden an den Beispielen HfO2, Ga2O3 und Al2O3 |
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