|
Anschrift: Zimmer 0.016 Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik
Tel: +49-228-733542 |
![]() |
| Hyperfeinwechselwirkung in dünnen Schichten des Gate-Dielektrikums HfO2 |
|
| Untersuchungen der Hyperfeinwechselwirkung in halbleitenden oder isoliernden Oxiden an den Beispielen HfO2, Ga2O3 und Al2O3 |
|